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Le géant coréen Samsung, leader du marché de la mémoire avec l’américain Micron, l’allemand Infineon et son compatriote Hynix, a annoncé il y a quelques heures à peine avoir développé une puce de DRAM d’une taille d’1Gb (128Mo). Gravée en 80 nanomètres (nm) et destinée aux appareils mobiles, que ce soit un téléphone portable, une console portable ou un PMP, cette Dynamic Random Access Memory Mobile aurait selon Samsung pour principal intérêt son moindre coût, mais aussi sa consommation, de 30 % inférieure qu’une puce classique.

Plus petite de 20 % qu’une mémoire de 1Gb composée de deux fois 512Mb, grâce à sa finesse de gravure, la 1Gb Mobile DRAM devrait permettre selon son fabricant de proposer des offres de 1,5 voire 2Gb pour les appareils mobiles. Joindre cette DRAM avec de la mémoire Flash serait aussi très intéressant d’après Samsung.
Prévue pour le deuxième trimestre de l’année prochaine, cette puce devrait accompagner bon nombre de téléphones portables 3G de l’année 2007.

Source : PCimpact